失效分析的一般程序
1、收集現場場數據
2、電測并確定失效模式
電測失效可分為連接性失效、電參數失效和功能失效。
連接性失效包括開路、短路以及電阻值變化。這類失效容易測試，現場失效多數由靜電放電(ESD)和過電應力(EOS)引起。
電參數失效，需進行較復雜的測量，主要表現形式有參數值超出規定范圍(超差)和參數不穩定。
確認功能失效，需對元器件輸入一個已知的激勵信號，測量輸出結果。如測得輸出狀態與預計狀態相同，則元器件功能正常，否則為失效,功能測試主要用于集成電路。
三種失效有一定的相關性,即一種失效可能引起其它種類的失效。功能失效和電參數失效的根源時常可歸結于連接性失效。在缺乏復雜功能測試設備和測試程序的情況下，有可能用簡單的連接性測試和參數測試方法進行電測，結合物理失效分析技術的應用仍然可獲得令人滿意的失效分析結果。
3、非破壞檢查
X-Ray檢測，即為在不破壞芯片情況下，利用X射線透視元器件(多方向及角度可選)，檢測元器件的封裝情況，如氣泡、邦定線異常，晶粒尺寸，支架方向等。
適用情境：檢查邦定有無異常、封裝有無缺陷、確認晶粒尺寸及layout
優勢：工期短，直觀易分析
劣勢：獲得信息有限
局限性：
1、相同批次的器件，不同封裝生產線的器件內部形狀略微不同;
2、內部線路損傷或缺陷很難檢查出來，必須通過功能測試及其他試驗獲得。
4、打開封裝
開封方法有機械方法和化學方法兩種,按封裝材料來分類，微電子器件的封裝種類包括玻璃封裝(二極管)、金屬殼封裝、陶瓷封裝、塑料封裝等。
機械開封
化學開封
5、顯微形貌像技術
光學顯微鏡分析技術
掃描電子顯微鏡的二次電子像技術
電壓效應的失效定位技術
6、半導體主要失效機理分析
正常芯片電壓襯度像 失效芯片電壓襯度像 電壓襯度差像
電應力(EOD)損傷
靜電放電(ESD)損傷
封裝失效
引線鍵合失效
芯片粘接不良
金屬半導體接觸退化
鈉離子沾污失效
氧化層針孔失效
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